উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি: ম্যানুফ্যাকচারিং, ডিজাইন, এবং আরএফ পারফরম্যান্স অপটিমাইজেশন

গ্রাহক-অ্যানথ্রোাইজড চিত্র

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি PCBs, যা 1GHz এর উপরে সংকেত পরিচালনা করে, আধুনিক বেতার প্রযুক্তির মেরুদণ্ড।৫জি নেটওয়ার্ক এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগ থেকে শুরু করে রাডার সিস্টেম এবং আইওটি ডিভাইস পর্যন্ত সবকিছুকে সক্ষম করেস্ট্যান্ডার্ড পিসিবিগুলির বিপরীতে, যা খরচ এবং মৌলিক কার্যকারিতাকে অগ্রাধিকার দেয়, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিজাইনের সিগন্যাল অখণ্ডতা, প্রতিরোধের মেলে এবং ক্ষতি হ্রাসের উপর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজন।এমনকি সামান্য নকশা ত্রুটি বা উত্পাদন ত্রুটি সংকেত attenuation কারণ হতে পারেএই গাইডটি সমালোচনামূলক নকশা নীতিগুলি, উত্পাদন কৌশলগুলি,এবং উপাদান নির্বাচন যা নিশ্চিত করে যে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি PCBs নির্ভরযোগ্য RF (রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি) কর্মক্ষমতা প্রদান করে, বাস্তব বিশ্বের অ্যাপ্লিকেশন এবং তুলনামূলক বিশ্লেষণের সাথে ইঞ্জিনিয়ার এবং নির্মাতাদের গাইড করার জন্য।

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবিগুলিকে কী অনন্য করে তোলে?
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সংকেতগুলি (1 গিগাহার্জ +) তাদের নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিপক্ষগুলির চেয়ে আলাদা আচরণ করে, অনন্য চ্যালেঞ্জগুলি প্রবর্তন করে যা পিসিবি নকশা এবং উত্পাদনকে রূপ দেয়ঃ
1ত্বকের প্রভাবঃ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে, ইলেকট্রনগুলি মূলত তামার ট্রেসের পৃষ্ঠের সাথে (পৃষ্ঠের 1 ¢ 5 μm এর মধ্যে) প্রবাহিত হয়, কার্যকর প্রতিরোধের বৃদ্ধি করে।এটি হ্রাস কমাতে মসৃণ তামা পৃষ্ঠের প্রয়োজন.
2সংকেত হ্রাসঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সংকেতগুলি ভ্রমণের সাথে সাথে শক্তি হারাতে থাকে, ফ্রিকোয়েন্সির সাথে হ্রাসগুলি এক্সপোনেন্সিয়ালভাবে বৃদ্ধি পায়। উদাহরণস্বরূপ,একটি 60GHz সংকেত স্ট্যান্ডার্ড FR-4 এ 10 ইঞ্চি অতিক্রম করে তার শক্তির ~ 50% হারায়১ গিগাহার্জ এ ১০% এর তুলনায়।
3প্রতিবন্ধকতা সংবেদনশীলতাঃ সংকেত প্রতিফলন রোধে ধারাবাহিক বৈশিষ্ট্যগত প্রতিবন্ধকতা (সাধারণত আরএফ এর জন্য 50Ω) বজায় রাখা গুরুত্বপূর্ণ।10% প্রতিবন্ধকতা অসঙ্গতি উচ্চ ডেটা রেট সিস্টেমে 1% প্রতিফলন হতে পারে.
4ক্রস স্ট্রাক এবং ইএমআইঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সংকেতগুলি বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় শক্তি বিকিরণ করে, সংলগ্ন ট্র্যাকগুলি (ক্রস স্ট্রাক) এবং অন্যান্য উপাদানগুলির (ইএমআই) সাথে হস্তক্ষেপ করে।
এই চ্যালেঞ্জগুলির জন্য বিশেষায়িত উপকরণ, কঠোর সহনশীলতা এবং উন্নত নকশা কৌশলগুলির প্রয়োজন হয় যা নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবিগুলির জন্য প্রয়োজনীয় নয়।

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবিগুলির জন্য মূল নকশা নীতি
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি ডিজাইনের জন্য ক্ষতি হ্রাস, প্রতিবন্ধকতা নিয়ন্ত্রণ এবং হস্তক্ষেপ হ্রাস করার উপর মনোযোগ প্রয়োজন। নিম্নলিখিত নীতিগুলি মৌলিকঃ
1. প্রতিবন্ধকতা নিয়ন্ত্রণ
প্রতিবন্ধকতা (Z0) ট্র্যাক প্রস্থ, স্তর বেধ, এবং dielectric ধ্রুবক (Dk) দ্বারা নির্ধারিত হয়। আরএফ অ্যাপ্লিকেশন জন্যঃ
a. চরিত্রগত প্রতিবন্ধকতাঃ বেশিরভাগ আরএফ সার্কিটের জন্য লক্ষ্য 50Ω (ভিডিওর জন্য 75Ω, ডিফারেনশিয়াল জোড়ার জন্য 100Ω) ।
b. সহনশীলতাঃ প্রতিফলন হ্রাস করার জন্য লক্ষ্যমাত্রার ± 5% এর মধ্যে প্রতিবন্ধকতা বজায় রাখুন। এর জন্য ট্রেস মাত্রা (± 0.05 মিমি) এবং Dk (± 0.1) এর উপর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন।
c. সরঞ্জামঃ ট্র্যাক জ্যামিতি এবং সাবস্ট্র্যাটের বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য অ্যাকাউন্টিং, প্রতিবন্ধকতা সিমুলেট করার জন্য 3 ডি ফিল্ড সোলভার (যেমন, Ansys HFSS) ব্যবহার করুন।

2. ট্র্যাক রুটিং
a.শর্ট, ডাইরেক্ট পাথসঃ হ্রাস হ্রাস করার জন্য ট্রেস দৈর্ঘ্য হ্রাস করুন। 28GHz এ 1-ইঞ্চি ট্রেস কম ক্ষতির সাবস্ট্র্যাটে ~ 0.5dB হারাবে। জটিল ডিজাইনে দ্রুত যোগ করে।
b. ধারাবাহিক জ্যামিতিঃ আকস্মিক বাঁক, ভায়াস বা প্রস্থের পরিবর্তনগুলি এড়িয়ে চলুন, যা প্রতিবন্ধকতা বিচ্ছিন্নতা সৃষ্টি করে। প্রতিফলন হ্রাস করার জন্য 90 ° এর পরিবর্তে 45 ° কোণ ব্যবহার করুন।
c. গ্রাউন্ড প্লেনঃ একটি কম প্রতিবন্ধকতা ফেরত পথ এবং হস্তক্ষেপের বিরুদ্ধে ঢাল প্রদানের জন্য সরাসরি RF ট্র্যাকের নীচে একটি অবিচ্ছিন্ন গ্রাউন্ড প্লেন স্থাপন করুন।
সর্বোত্তম অনুশীলনঃ শীর্ষ স্তরে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির ট্র্যাকগুলি সরাসরি নীচে একটি উত্সর্গীকৃত গ্রাউন্ড প্লেনের সাথে রুট করুন, টাইট কাপলিংয়ের জন্য একটি পাতলা ডাইলেক্ট্রিক (0.2 ∼ 0.5 মিমি) দ্বারা পৃথক করা।

3. ডিজাইনের মাধ্যমে
ভায়াস (বিশেষত থ্রু-হোল ভায়াস) প্রতিবন্ধকতা ব্যাহত করে এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে সংকেত প্রতিফলন ঘটায়। প্রশমন কৌশলগুলির মধ্যে রয়েছেঃ
a.মাইক্রোভিয়াসঃ স্টাবের দৈর্ঘ্য (ভিয়াটির অব্যবহৃত অংশ) হ্রাস করতে অন্ধ / কবরযুক্ত মাইক্রোভিয়াস (≤0.15 মিমি ব্যাসার্ধ) ব্যবহার করুন। একটি স্টাব <0.5 মিমি একটি 2 মিমি স্টাবের তুলনায় 30% দ্বারা 60GHz এ ক্ষতি হ্রাস করে।
b.Via Shielding: বিকিরণ এবং ক্রসস্টক হ্রাস করার জন্য গ্রাউন্ড ভায়াস (সাইড ভায়াস) দিয়ে ভায়াসগুলি ঘিরে রাখুন।
c.অ্যান্টি-প্যাড অপ্টিমাইজেশনঃ প্রতিরোধের ধারাবাহিকতা বজায় রাখার জন্য আকারের অ্যান্টি-প্যাড (ভূমি সমতলগুলিতে ভায়াসের চারপাশে ক্লিয়ারেন্স) ।

4. উপাদান স্থানান্তর
a. গ্রুপ আরএফ উপাদানঃ তাদের মধ্যে ট্র্যাক দৈর্ঘ্য কমাতে ক্লাস্টার এম্প্লিফায়ার, মিক্সার এবং অ্যান্টেনা।
বি.অ্যানালগ এবং ডিজিটাল বিভাগগুলি বিচ্ছিন্ন করুনঃ ইএমআই প্রতিরোধের জন্য ডিজিটাল লজিক থেকে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি আরএফ সার্কিটগুলি পৃথক করুন। একক পয়েন্টে সংযোগকারী সেতু সহ একটি গ্রাউন্ড প্লেন বিভক্ত করুন।
গ.শব্দ উত্স এড়িয়ে চলুনঃ হস্তক্ষেপ হ্রাস করার জন্য পাওয়ার সাপ্লাই, দোলক এবং উচ্চ-বর্তমানের ট্র্যাকগুলি আরএফ পথ থেকে দূরে রাখুন।

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবিগুলির জন্য সমালোচনামূলক উপকরণ
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি পারফরম্যান্সের ক্ষেত্রে উপাদান নির্বাচনই সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ কারণ, যেহেতু ডাইলেক্ট্রিক বৈশিষ্ট্যগুলি সরাসরি ক্ষতি এবং সংকেত অখণ্ডতাকে প্রভাবিত করে।
1. সাবস্ট্র্যাট উপাদান

মূল পরিমাপঃ
Dk স্থিতিশীলতাঃ কম Dk (3.0 √ 3.5) সংকেত বিলম্বকে হ্রাস করে; তাপমাত্রা জুড়ে স্থিতিশীল Dk (± 0.05) ধারাবাহিক প্রতিবন্ধকতা নিশ্চিত করে।
ডিএফ (বিচ্ছিন্নতা ফ্যাক্টর): নিম্ন ডিএফ ডাইলেক্ট্রিক ক্ষতি হ্রাস করে। ২৮ গিগাহার্জ এ, ডিএফ 0.002 (আরও 4350 বি) এর ফলে ডিএফ 0.004 (মেগট্রন 6) এর তুলনায় 50% কম ক্ষতি হয়।

2তামার ফয়েল
a.পৃষ্ঠের রুক্ষতাঃ মসৃণ তামা (Rz <1μm) ত্বকের প্রভাব হ্রাস হ্রাস করে। খুব কম প্রোফাইল (ভিএলপি) তামা (Rz 0.3 ¢ 0.8μm) > 28GHz এর জন্য আদর্শ।
b. বেধঃ 0.5 ′′ 1 ওনস (17 ′′ 35 μm) পরিবাহিতা এবং ত্বকের প্রভাবকে ভারসাম্যপূর্ণ করে। ত্বকের প্রভাবের কারণে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে ঘন তামা কোনও সুবিধা দেয় না।
c. অ্যানিলিংঃ রোলড অ্যানিলযুক্ত তামা হ্রাস বাড়ানো ছাড়াই বাঁকা ডিজাইনের জন্য নমনীয়তা উন্নত করে (যেমন, অ্যান্টেনা) ।

3সোল্ডারমাস্ক এবং কভারলে
a.সোল্ডারমাস্কঃ কার্যকর Dk বৃদ্ধি এড়ানোর জন্য পাতলা (1020μm), কম Dk সোল্ডারমাস্ক ব্যবহার করুন (যেমন, তরল ফটোমেজযোগ্য) ।
b.Coverlay (Flex PCBs): Dk <3.0 সহ Polyimide coverlay নমনীয় উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিজাইনে সংকেত অখণ্ডতা সংরক্ষণ করে।

উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবিগুলির জন্য উত্পাদন কৌশল
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবিগুলির পারফরম্যান্স বজায় রাখার জন্য আরও কঠোর সহনশীলতা এবং বিশেষায়িত প্রক্রিয়া প্রয়োজনঃ
1. যথার্থ খোদাই
a.এটচ সহনশীলতাঃ প্রতিরোধ বজায় রাখার জন্য ± 0.01 মিমি ট্রেস প্রস্থ নিয়ন্ত্রণ অর্জন করুন। এটি স্প্রে চাপ নিয়ন্ত্রণের সাথে উন্নত ইটচিং মেশিনগুলির প্রয়োজন।
b.Undercut Minimization: নিম্ন-এটচ ফ্যাক্টর রসায়ন ব্যবহার করুন, যাতে সামঞ্জস্যপূর্ণ প্রতিবন্ধকতা নিশ্চিত করে, undercut (উপরের এবং নীচের ট্রেস প্রস্থের মধ্যে পার্থক্য) কমাতে পারে।

2ড্রিলিং
a.মাইক্রোভিয়া ড্রিলিংঃ লেজার ড্রিলিং (ইউভি বা সিও 2 লেজার) উচ্চ ঘনত্বের আরএফ ডিজাইনের জন্য সমালোচনামূলক, ± 2μm অবস্থানের নির্ভুলতার সাথে 0.05 ′′ 0.15 মিমি মাইক্রোভিয়া তৈরি করে।
b.Through-Hole Drilling: রজন smear কমাতে 118 ° পয়েন্ট কোণ সঙ্গে কার্বাইড ড্রিল ব্যবহার করুন, যা অপসারণ না করা হলে ক্ষতি বৃদ্ধি করতে পারে।

3. লেমিনেশন
a. তাপমাত্রা এবং চাপ নিয়ন্ত্রণঃ লেমিনেটগুলি একটি অভিন্ন ডায়েলক্ট্রিক বেধ (± 5 μm) নিশ্চিত করার জন্য সঠিক চাপ (20 ¢ 30 kgf / cm2) এবং তাপমাত্রা (180 ¢ 220 °C) দিয়ে আবদ্ধ করা উচিত।
b.ভ্যাকুয়াম প্রতিরোধঃ ভ্যাকুয়াম ল্যামিনেশন বায়ু বুদবুদ দূর করে, যা Dk পরিবর্তন এবং সংকেত ক্ষতির কারণ হয়।

4. পরীক্ষা ও পরিদর্শন
a. টাইম-ডোমেইন রিফ্লেক্টমেট্রি (টিডিআর): পিসিবি জুড়ে প্রতিবন্ধকতা বিচ্ছিন্নতা পরিমাপ করে, ট্র্যাক প্রস্থের পরিবর্তন বা স্টাবের মাধ্যমে সমস্যাগুলি সনাক্ত করে।
b.নেটওয়ার্ক বিশ্লেষক পরীক্ষাঃ কর্মক্ষমতা যাচাই করার জন্য 100GHz পর্যন্ত সন্নিবেশ ক্ষতি (S21) এবং রিটার্ন ক্ষতি (S11) চিহ্নিত করে।
c. এক্স-রে পরিদর্শনঃ BGA/RFIC উপাদানগুলির সমন্বয় এবং সোল্ডার জয়েন্টের গুণমানের জন্য চেক।

অ্যাপ্লিকেশনঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি কার্যকর
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি PCBs বিভিন্ন কাটিয়া প্রান্ত প্রযুক্তি সক্ষম, প্রতিটি অনন্য প্রয়োজনীয়তা সঙ্গেঃ
1৫জি অবকাঠামো
a.বেস স্টেশনঃ 28GHz এবং 39GHz mmWave অ্যারেগুলি ক্ষয় হ্রাস করার জন্য 0.5 মিমি ডাইলেক্ট্রিক বেধের RO4350B সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করে।
b.Small Cells: কমপ্যাক্ট 5G ছোট সেলগুলি উচ্চ-Tg FR-4 (মেগট্রন 6) এর উপর নির্ভর করে।
c. প্রয়োজনীয়তাঃ 28GHz এ ইঞ্চি প্রতি <0.3dB সন্নিবেশ ক্ষতি; ± 3% প্রতিবন্ধকতা সহনশীলতা।

2এয়ারস্পেস এবং প্রতিরক্ষা
a. রাডার সিস্টেমঃ 77GHz অটোমোটিভ রাডার এবং 100GHz সামরিক রাডার সর্বনিম্ন ক্ষতির জন্য PTFE সাবস্ট্রেট (RT/duroid 5880) ব্যবহার করে।
b.স্যাটেলাইট যোগাযোগঃ Ka-ব্যান্ড (26.5 √ 40GHz) ট্রান্সিভারগুলির জন্য -55°C থেকে 125°C এর উপরে স্থিতিশীল Dk সহ বিকিরণ-শক্ত উপকরণ প্রয়োজন।

3. কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স
a.স্মার্টফোন: ৫জি স্মার্টফোনগুলিতে ৬ গিগাহার্টজ এবং এমএম ওয়েভ এন্টেনের জন্য এফআর-৪ এবং এলসিপি (লিকুইড ক্রিস্টাল পলিমার) পিসিবি একীভূত করা হয়েছে।
b.Wi-Fi 6E: 6GHz Wi-Fi রাউটারগুলি মাল্টি-অ্যান্টেনা MIMO ডিজাইনগুলিকে সমর্থন করার জন্য মাইক্রোভিয়া সহ উচ্চ-Tg FR-4 ব্যবহার করে।

4. মেডিকেল ডিভাইস
a.এমআরআই কয়েলঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি (64MHz3T) এমআরআই কয়েলগুলি সিগন্যাল হস্তক্ষেপকে হ্রাস করতে এবং চিত্রের গুণমান উন্নত করতে নিম্ন-ডিকে সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করে।
b. ওয়্যারলেস সেন্সরঃ পরিধানযোগ্য স্বাস্থ্য মনিটরগুলি 2.4GHz ব্লুটুথ সংযোগের জন্য নমনীয় LCP PCB ব্যবহার করে, কম ক্ষতির সাথে সামঞ্জস্যতা একত্রিত করে।

তুলনামূলক বিশ্লেষণঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বনাম স্ট্যান্ডার্ড পিসিবি

উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি প্রযুক্তির ভবিষ্যতের প্রবণতা
উপকরণ এবং নকশার অগ্রগতি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি পারফরম্যান্সকে আরও এগিয়ে নিয়ে যাচ্ছেঃ
1.গ্রাফিন-উন্নত সাবস্ট্র্যাটসঃ Dk <2.0 এবং Df <0.001 সহ গ্রাফিন ইনফিউজড ডিয়েলেক্ট্রিকগুলি 100+ গিগাহার্টজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে লক্ষ্য করে বিকাশ করা হচ্ছে।
2অ্যাডিটিভ ম্যানুফ্যাকচারিংঃ পিসিবিগুলির সাথে সংহত 3 ডি-প্রিন্টেড আরএফ কাঠামো (যেমন, অ্যান্টেনা, তরঙ্গদর্শন) ক্ষতি হ্রাস করে এবং সংহতকরণ উন্নত করে।
3.এআই-চালিত নকশাঃ মেশিন লার্নিং সরঞ্জামগুলি ট্র্যাক রুটিং এবং উপাদান নির্বাচনকে অনুকূল করে তোলে, কর্মক্ষমতা উন্নত করার সময় ডিজাইনের সময় 40% হ্রাস করে।

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন
প্রশ্ন: একটি পিসিবি সর্বোচ্চ কোন ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে পারে?
উত্তরঃ বর্তমান উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবিগুলি পিটিএফই সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করে 100 গিগাহার্জ পর্যন্ত নির্ভরযোগ্যভাবে সমর্থন করে। নতুন উপকরণগুলির সাথে টেরাহার্টজ ফ্রিকোয়েন্সিগুলিতে এটি প্রসারিত করার জন্য গবেষণা চলছে।

প্রশ্নঃ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিজাইনের জন্য স্ট্যান্ডার্ড FR-4 ব্যবহার করা যেতে পারে?
উত্তরঃ উচ্চ ডিএফ এবং ডিকে বৈচিত্র্যের কারণে স্ট্যান্ডার্ড এফআর -4 <1 গিগাহার্জ সীমাবদ্ধ। উন্নত উচ্চ-টিজি এফআর -4 (উদাহরণস্বরূপ, মেগট্রন 6) ব্যয়-সংবেদনশীল অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য 10 গিগাহার্জ পর্যন্ত কাজ করে।

প্রশ্ন: তাপমাত্রা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবি কর্মক্ষমতা প্রভাবিত করে কিভাবে?
উঃ তাপমাত্রা পরিবর্তনগুলি স্তরকে পরিবর্তন করে Dk (সাধারণত +0.02 প্রতি 10 °C), প্রতিরোধকে প্রভাবিত করে। বিস্তৃত অপারেটিং ব্যাপ্তির জন্য তাপমাত্রা-স্থিতিশীল স্তরগুলি (যেমন, RO4350B) ব্যবহার করুন।

প্রশ্নঃ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং স্ট্যান্ডার্ড পিসিবিগুলির মধ্যে ব্যয় পার্থক্য কী?
উত্তরঃ বিশেষায়িত উপকরণ (যেমন, পিটিএফই), কঠোর সহনশীলতা এবং উন্নত পরীক্ষার কারণে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবিগুলির দাম 2 ¢ 5x বেশি।

প্রশ্ন: উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির জন্য কি নমনীয় পিসিবি উপযুক্ত?
উত্তরঃ হ্যাঁ, এলসিপি (তরল স্ফটিক পলিমার) নমনীয় পিসিবিগুলি কম ক্ষতির সাথে 60GHz পর্যন্ত সমর্থন করে, যা তাদের বাঁকা অ্যান্টেনা এবং পরিধানযোগ্য ডিভাইসের জন্য আদর্শ করে তোলে।

সিদ্ধান্ত
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পিসিবিগুলি পরবর্তী প্রজন্মের ওয়্যারলেস প্রযুক্তির সমালোচনামূলক সক্ষমকারী, নকশা নির্ভুলতা, উপাদান বিজ্ঞান এবং উত্পাদন দক্ষতার একটি সূক্ষ্ম মিশ্রণের প্রয়োজন।প্রতিবন্ধকতা নিয়ন্ত্রণকে অগ্রাধিকার দিয়েকম ডি কে / ডি এফ উপকরণগুলির মাধ্যমে ক্ষয় হ্রাস, এবং উন্নত উত্পাদন কৌশল ব্যবহার করে, প্রকৌশলীরা 1 গিগাহার্জ এবং তার পরেও নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্স সরবরাহ করে এমন পিসিবি তৈরি করতে পারে।
৫জি বেস স্টেশন, রাডার সিস্টেম বা মেডিকেল ডিভাইসের ক্ষেত্রে, অ্যাপ্লিকেশনটির ফ্রিকোয়েন্সি, খরচ এবং পরিবেশগত প্রয়োজনীয়তার সাথে উপাদান এবং ডিজাইনের পছন্দগুলি মেলে।যেহেতু ওয়্যারলেস প্রযুক্তি উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিগুলির দিকে ধাক্কা চালিয়ে যাচ্ছে (6G)(টেরাহার্টজ) উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবি উদ্ভাবন অগ্রগতির মূল ভিত্তি হয়ে থাকবে।

মূল তথ্য: উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির পিসিবি শুধু স্ট্যান্ডার্ড পিসিবি এর দ্রুততম সংস্করণ নয় তারা বিশেষায়িত সিস্টেম যেখানে প্রতিটি উপাদান, ট্রেস,এবং এর মাধ্যমে অনন্য উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি চ্যালেঞ্জের মুখে সংকেত অখণ্ডতা রক্ষা করার জন্য ডিজাইন করা হয়.