IC সাবস্ট্রেট পিসিবি: উন্নত ইলেকট্রনিক্সে মূল কার্যাবলী এবং প্রধান অ্যাপ্লিকেশন

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আইসি) এবং প্রচলিত প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ডের মধ্যে একটি গুরুত্বপূর্ণ সেতু।আজকের ইলেকট্রনিক্সের জন্য প্রয়োজনীয় ক্ষুদ্রীকরণ এবং উচ্চ পারফরম্যান্স সক্ষম করেস্ট্যান্ডার্ড পিসিবি এর বিপরীতে, এই বিশেষায়িত স্তরগুলি আধুনিক চিপগুলির অতি সূক্ষ্ম পিচ সংযোগগুলি পরিচালনা করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে,১১২ জিবিপিএস পর্যন্ত ডেটা রেট এবং পাওয়ার ঘনত্ব সমর্থন করে যা প্রচলিত সার্কিট বোর্ডকে অভিভূত করবেস্মার্টফোন থেকে শুরু করে ডাটা সেন্টার সার্ভার পর্যন্ত, আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি হচ্ছে পরবর্তী প্রজন্মের প্রযুক্তির জন্য অজানা নায়ক।

এই গাইডটি আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলির অনন্য ফাংশন, তাদের উত্পাদন জটিলতা, তারা কীভাবে traditionalতিহ্যবাহী পিসিবি থেকে আলাদা এবং মূল শিল্পগুলিতে তাদের অপরিহার্য ভূমিকা পরীক্ষা করে।আপনি 5G মডেম বা উচ্চ কার্যকারিতা GPU ডিজাইন করছেন কিনা, এই স্তরগুলিকে বোঝা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

মূল বিষয়
1.আইসি সাবস্ট্রেট পিসিবিগুলি আইসি এবং পিসিবিগুলির মধ্যে interinterposers হিসাবে কাজ করে, চিপগুলির অতি সূক্ষ্ম পিচ (≤50μm) কে স্ট্যান্ডার্ড পিসিবিগুলির আরও রুক্ষ পিচ (≥100μm) তে অনুবাদ করে।
2তারা প্রচলিত পিসিবি-র তুলনায় ৩৫ গুণ বেশি আই/ও ঘনত্ব সমর্থন করে, প্রতি চিপে ১০,০০০ পর্যন্ত সংযোগ রয়েছে, যা আধুনিক প্রসেসর এবং ৫জি ট্রান্সসিভারগুলির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
3বিটি রজন (বিসমেলাইমাইড ট্রায়াজিন) এবং এবিএফ (এজিনোমোটো বিল্ড-আপ ফিল্ম) এর মতো উন্নত উপকরণগুলি কম সংকেত ক্ষতির সাথে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পারফরম্যান্স (১১২ গিগাবাইট / সেকেন্ড পর্যন্ত) সক্ষম করে।
4. মূল অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে স্মার্টফোন (এপি / বিবি চিপস), ডেটা সেন্টার সার্ভার (সিপিইউ / জিপিইউ) এবং অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স (এডিএএস চিপস), ২০২৬ সালের মধ্যে বিশ্বব্যাপী বাজার ৩৫ বিলিয়ন ডলারে পৌঁছানোর পূর্বাভাস রয়েছে।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি কি?
আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি হ'ল উচ্চ ঘনত্বের ইন্টারকানেক্ট (এইচডিআই) কাঠামো যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলি (যেমন সিপিইউ, জিপিইউ এবং আরএফ চিপস) বৃহত্তর পিসিবিগুলিতে শারীরিক এবং বৈদ্যুতিকভাবে সংযুক্ত করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।তারা একটি অনুবাদ স্তর হিসাবে কাজ করে, √ আইসির ক্ষুদ্র, ঘনিষ্ঠভাবে দূরবর্তী পিনগুলিকে (প্রায়শই <50μm পিচ) স্ট্যান্ডার্ড পিসিবিতে বৃহত্তর, আরও বিস্তৃত প্যাডগুলিতে রূপান্তর করা (সাধারণত 100μm + পিচ) ।

মূল উপাদান
a. বেস উপাদানঃ উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং কম dielectric ক্ষতির জন্য BT রজন (bismaleimide triazine) বা ABF (Ajinomoto Build-up Film) ।
b. কপার স্তরঃ পাতলা (12 ¢ 18 μm) তামার ট্রেস 10/10 μm পর্যন্ত লাইন / স্পেস (এল / এস) টাইট, ঘন রুটিং সক্ষম।
c. ভায়াসঃ মাইক্রোভায়াস (50 ¢ 100 μm ব্যাসার্ধ) যার আকার অনুপাত 1 পর্যন্তঃ1, অনেক জায়গা না নিয়ে স্তরগুলোকে সংযুক্ত করে..
d.Surface Finish: ইলেক্ট্রোলেস নিকেল ডুবানো স্বর্ণ (ENIG) বা নিকেল প্যালাডিয়াম স্বর্ণ (ENEPIG) IC bumps সঙ্গে নির্ভরযোগ্য solder joints জন্য।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি কিভাবে কাজ করে
একটি আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি এর প্রাথমিক ফাংশন হল আইসি এবং পিসিবি এর মধ্যে “পিচ অসামঞ্জস্য” সমাধান করাঃ
1.চিপ সংযুক্তিঃ আইসি (যেমন, একটি স্মার্টফোনের অ্যাপ্লিকেশন প্রসেসর) ফ্লিপ-চিপ স্তর মাধ্যমে solder bumps সঙ্গে আবদ্ধ হয়, প্রতিটি bump সঙ্গে স্তর উপর একটি প্যাড সংযুক্ত।
2সিগন্যাল রাউটিংঃ সাবস্ট্র্যাটের সূক্ষ্ম-পিচ ট্র্যাকগুলি আইসির ঘূর্ণি থেকে সাবস্ট্র্যাটের নীচের দিকে বৃহত্তর প্যাডগুলিতে সংকেতগুলি রুট করে।
3.পিসিবি সংযোগঃ সাবস্ট্র্যাটটি তারপরে সোল্ডার বল (বিজিএ) এর মাধ্যমে একটি স্ট্যান্ডার্ড পিসিবিতে মাউন্ট করা হয়, আইসি এর উচ্চ ঘনত্বের সংযোগগুলি পিসিবি এর নিম্ন ঘনত্বের রাউটিংয়ে অনুবাদ করে।
এই প্রক্রিয়াটি নিশ্চিত করে যে সিগন্যালগুলি সর্বনিম্ন ক্ষতির সাথে ভ্রমণ করে, এমনকি 100Gbps এরও বেশি গতিতে, উচ্চ-ক্ষমতা চিপ দ্বারা উত্পন্ন তাপ পরিচালনা করে।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি বনাম ঐতিহ্যবাহী পিসিবিঃ মূল পার্থক্য
আইসি সাবস্ট্রেট পিসিবিগুলি স্ট্যান্ডার্ড পিসিবিগুলির চেয়ে অনেক বেশি জটিল, আইসি সংহতকরণের জন্য নির্দিষ্টকরণের সাথেঃ

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলির মূল ফাংশন
আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি চারটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে যা উন্নত ইলেকট্রনিক্সকে সক্ষম করেঃ
1. উচ্চ ঘনত্বের সংকেত রুটিং
আধুনিক আইসিগুলিতে (যেমন, 7nm প্রসেসর) হাজার হাজার I / O পিন রয়েছে যা ক্ষুদ্র পদচিহ্নগুলিতে প্যাক করা হয় (যেমন, 15 মিমি × 15 মিমি) । আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি অতি-রূক্ষ্ম ট্রেস (10/10μm L / S) ব্যবহার করে এই সংকেতগুলি রুট করে,ক্রসট্যাক এবং সংকেত হ্রাস এড়ানোউদাহরণস্বরূপ, একটি 5 জি মডেমের আইসি সাবস্ট্র্যাট 2,000+ আরএফ এবং ডিজিটাল সংকেতগুলি পরিচালনা করে, যার প্রত্যেকটির 28 গিগাহার্জ পারফরম্যান্স বজায় রাখতে সুনির্দিষ্ট প্রতিরোধ নিয়ন্ত্রণ (50Ω) প্রয়োজন।

2তাপীয় ব্যবস্থাপনা
উচ্চ-শক্তির চিপগুলি (যেমন, জিপিইউ) 100W+ তাপ উত্পাদন করে, যা থ্রোটলিং রোধ করতে ছড়িয়ে পড়তে হবে। আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি ব্যবহার করেঃ
a. তাপ পরিবাহী উপকরণঃ সিরামিক ফিলার সহ বিটি রজন তাপ সিঙ্কগুলিতে তাপ স্থানান্তরকে উন্নত করে।
b. তামা তাপ ছড়িয়েঃ সাবস্ট্র্যাটে ঘন (70μm) তামার স্তরগুলি সমানভাবে তাপ বিতরণ করে।
তথ্যঃ একটি তামার তাপ ছড়িয়ে দেওয়ার সাথে একটি আইসি সাবস্ট্র্যাট স্ট্যান্ডার্ড সাবস্ট্র্যাটের তুলনায় চিপ জংশন তাপমাত্রা 15 ডিগ্রি সেলসিয়াস হ্রাস করে, যা নির্ভরযোগ্যতা 30% বৃদ্ধি করে।

3বিদ্যুৎ বিতরণ
আইসিগুলির ন্যূনতম গোলমাল সহ স্থিতিশীল শক্তির প্রয়োজন (উদাহরণস্বরূপ, সিপিইউগুলির জন্য 0.8V) । আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি এর মাধ্যমে এটি অর্জন করেঃ
a. পাওয়ার প্লেনঃ পাতলা, অবিচ্ছিন্ন তামার স্তর যা সমস্ত আইসি পিনকে শক্তি সরবরাহ করে।
b. ডিসকুপলিং ক্যাপাসিটর ইন্টিগ্রেশনঃ এমবেডেড ক্যাপাসিটর (01005 আকার) ভোল্টেজ রিপল হ্রাস করে।
ফলাফলঃ আইসিতে ভোল্টেজ বৈচিত্র্য 2% এর নিচে রাখা হয়, এমনকি উচ্চ লোড অপারেশন (যেমন, একটি স্মার্টফোনে গেমিং) চলাকালীন স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

4যান্ত্রিক সহায়তা
আইসিগুলি ভঙ্গুর, তাপীয় বা যান্ত্রিক চাপের অধীনে সোল্ডার ঘাটে ক্র্যাকিংয়ের প্রবণতা রয়েছে। আইসি সাবস্ট্রেটসঃ
a.ম্যাচ সিটিই (তাপীয় সম্প্রসারণের সহগ): বিটি রজন (12 ¢ 16 পিপিএম / °C) সিলিকন (2,6 পিপিএম / °C) এর সাথে ঘনিষ্ঠভাবে মিলিত হয়, তাপমাত্রা চক্রের সময় চাপ হ্রাস করে।
b.কঠোরতা প্রদান করুন: এমন বাঁকানো রোধ করুন যা আইসির ঘাটে ক্ষতি করতে পারে, যা স্মার্টফোনের মতো ড্রপ-প্রতিরোধী ডিভাইসের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি উৎপাদন প্রক্রিয়া
আইসি সাবস্ট্রেট উৎপাদনের জন্য স্ট্যান্ডার্ড পিসিবি প্রক্রিয়া ছাড়াও সুনির্দিষ্ট উত্পাদন প্রয়োজনঃ
1বেস উপাদান প্রস্তুতিঃ বিটি রজন বা এবিএফ শীটগুলি এক বা উভয় পক্ষের তামার ফয়েল দিয়ে আকারের উপর কাটা হয়।
2. বিল্ড-আপ স্তরঃ ফটোলিথোগ্রাফি ব্যবহার করে, ধারাবাহিকভাবে স্তর যোগ করা হয়ঃ
a. প্যাটার্নিং: ইউভি আলো একটি মাস্কের মাধ্যমে ফটোরেসিস্টকে প্রকাশ করে, ট্রেস প্যাটার্নগুলি সংজ্ঞায়িত করে।
b. ইটচিংঃ সুরক্ষাহীন তামা সরিয়ে ফেলা হয়, সূক্ষ্ম পিচিং চিহ্ন ছেড়ে যায়।
গ.মাইক্রোভিয়া ড্রিলিংঃ লেজার ড্রিলিং স্তরগুলির মধ্যে 50-100μm ভায়াস তৈরি করে।
3প্লাটিংঃ স্তরগুলিকে সংযুক্ত করার জন্য ভায়াসগুলি তামা দিয়ে প্লাস্ট করা হয়, যা পরিবাহিতা নিশ্চিত করে।
4.পৃষ্ঠ সমাপ্তিঃ আইসি বাম্পগুলির সাথে নির্ভরযোগ্য সোল্ডার লিঙ্ক নিশ্চিত করার জন্য প্যাডগুলিতে ENIG বা ENEPIG প্রয়োগ করা হয়।
5. পরিদর্শনঃ AOI (স্বয়ংক্রিয় অপটিক্যাল পরিদর্শন) এবং এক্স-রে ট্র্যাক নির্ভুলতা এবং গুণমানের মাধ্যমে যাচাই করে, ত্রুটি সহনশীলতা <1 প্রতি 10,000 ট্র্যাক।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলির মূল অ্যাপ্লিকেশন
উচ্চ-কার্যকারিতা, ক্ষুদ্র ইলেকট্রনিক্সের চাহিদার শিল্পে আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি অপরিহার্যঃ
1. মোবাইল ডিভাইস
স্মার্টফোন এবং ট্যাবলেট:
অ্যাপ্লিকেশন প্রসেসর (এপি): আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি 7nm/5nm চিপগুলি (যেমন, কোয়ালকম স্ন্যাপড্রাগন, অ্যাপল এ-সিরিজ) প্রধান পিসিবিতে সংযুক্ত করে, সিপিইউ, জিপিইউ এবং এআই কোরগুলির জন্য 1,000+ সংকেত পরিচালনা করে।
৫জি মডেমঃ নিম্ন-ক্ষতিযুক্ত এবিএফ উপাদান সহ সাবস্ট্র্যাটগুলি ২৮ জিএইচজেড / ৩৯ জিএইচজেড মিমিওয়েভ সংকেত সমর্থন করে, মাল্টি-গিগাবিট ডেটা রেট সক্ষম করে।
উদাহরণঃ সর্বশেষতম ফ্ল্যাগশিপ স্মার্টফোনটি তার 5nm এপি সংযোগ করতে 20/20μm L/S সহ একটি 6-স্তরীয় আইসি সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করে, পূর্ববর্তী ডিজাইনের তুলনায় সামগ্রিক ডিভাইসের বেধ 0.5 মিমি হ্রাস করে।

2ডাটা সেন্টার ও কম্পিউটিং
সার্ভার এবং ওয়ার্কস্টেশন:
সিপিইউ/জিপিইউ: উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন চিপ (যেমন, ইন্টেল জিওন, এনভিআইডিআইএ এইচ১০০) 400W+ পাওয়ার এবং 100Gbps+ ইন্টার-চিপ সংকেত পরিচালনা করতে এমবেডেড তাপ ছড়িয়ে দেওয়ার সাথে আইসি সাবস্ট্র্যাট ব্যবহার করে।
মেমরি মডিউলঃ ডিডিআর 5 এবং এইচবিএম (হাই-ব্যান্ডউইথ মেমরি) এর জন্য সাবস্ট্র্যাটগুলি সংকীর্ণ টাইমিং মার্জিন সহ 8400 এমবিপিএস ডেটা রেট সক্ষম করে।
প্রবণতাঃ মাল্টি-চিপ মডিউল (এমসিএম) সংযুক্ত করার জন্য থ্রিডি আইসি সাবস্ট্র্যাট (স্ট্যাকড স্তর) উদ্ভূত হচ্ছে, চিপগুলির মধ্যে সিগন্যাল বিলম্ব 40% হ্রাস করে।

3অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স
উন্নত ড্রাইভার সহায়তা সিস্টেম (এডিএএস):
রাডার / লিডার চিপঃ উচ্চ তাপমাত্রার বিটি রজন (-40 °C থেকে 125 °C) সহ আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি ADAS প্রসেসরগুলি (যেমন, এনভিআইডিআইএ ওরিন) সেন্সরগুলিতে সংযুক্ত করে, কঠোর পরিবেশে নির্ভরযোগ্য অপারেশন নিশ্চিত করে।
তথ্য বিনোদন সিস্টেমঃ সাবস্ট্র্যাটগুলি 4K ডিসপ্লে ইন্টারফেস এবং 5 জি সংযোগ সমর্থন করে, কম্পন প্রতিরোধী ডিজাইন (20 জি +) সহ।
সম্মতিঃ অটোমোটিভ গ্রেডের আইসি সাবস্ট্রেটগুলি আইএটিএফ 16949 মান পূরণ করে, যা নিরাপত্তা-সমালোচনামূলক সিস্টেমগুলির জন্য শূন্য ত্রুটি প্রয়োজনীয়তা।

4. কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স
a.Wearables: স্মার্টওয়াচ এবং AR চশমা অতি পাতলা (0.2 মিমি) আইসি সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে ক্ষুদ্র চিপগুলি (যেমন, হার্ট রেট মনিটর) কম্প্যাক্ট পিসিবিগুলিতে সংযুক্ত করতে, বাঁকা ডিজাইনের জন্য নমনীয় বিকল্পগুলির সাথে।
b. গেমিং কনসোলঃ কনসোলের উচ্চ-কার্যকারিতা GPUs (যেমন, প্লেস্টেশন 5, এক্সবক্স সিরিজ এক্স) 4K/120fps গ্রাফিক্স প্রসেসিং পরিচালনা করার জন্য 15/15μm L/S সহ IC সাবস্ট্র্যাটের উপর নির্ভর করে।

আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলির নতুন প্রবণতা
যেমন ইলেকট্রনিক্স উচ্চতর কর্মক্ষমতা এবং ক্ষুদ্রীকরণের দিকে ধাক্কা দেয়, আইসি সাবস্ট্রেটগুলি বিকশিত হচ্ছেঃ
a.3D ইন্টিগ্রেশনঃ স্ট্যাকড আইসি সাবস্ট্রেট (3D আইসি) চিপগুলির মধ্যে সিগন্যাল পথ 50% হ্রাস করে, যা এআই অ্যাক্সিলারেটরগুলিতে দ্রুত ডেটা স্থানান্তর সক্ষম করে।
b.Embedded Components: Substrate এ Embedded Capacitors and Resistors space saves and reduce parasitic inductance, critical for 112Gbps+ signals. (ইম্বডেড কম্পোনেন্টসঃ সাবস্ট্র্যাটগুলিতে Embedded Capacitors and Resistors স্থান সাশ্রয় করে এবং 112Gbps+ সিগন্যালের জন্য অত্যাবশ্যক প্যারাসাইটিক ইন্ডাক্ট্যান্স হ্রাস করে।
c.সস্টেনেবিলিটিঃ পুনর্ব্যবহারযোগ্য বিটি রজন এবং সীসা মুক্ত প্লাটিং (ENEPIG) RoHS এবং ইইউ ইকোডিজাইন নির্দেশিকাগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, পরিবেশগত প্রভাব হ্রাস করে।

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন
প্রশ্নঃ কেন প্রথাগত পিসিবি আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবি প্রতিস্থাপন করতে পারে না?
উত্তরঃ ঐতিহ্যগত পিসিবিগুলির আধুনিক আইসিগুলি সংযুক্ত করার জন্য প্রয়োজনীয় সূক্ষ্ম-পিচ রাউটিং (≤50μm L/S) এবং উপাদান কর্মক্ষমতা (নিম্ন Dk/Df) নেই। একটি স্ট্যান্ডার্ড পিসিবি ব্যবহার করলে সংকেত ক্ষতি, ক্রসট্যাক,এবং তাপীয় সমস্যা.

প্রশ্ন: আইসি সাবস্ট্র্যাটের জন্য সর্বাধিক আই/ও সংখ্যা কত?
উত্তরঃ নেতৃস্থানীয় স্তরগুলি জিপিইউগুলির মতো উচ্চ-কার্যকারিতা চিপগুলির জন্য 10,000 আই / ও পর্যন্ত সমর্থন করে, সংযোগগুলির মধ্যে 50μm পিচ সহ।

প্রশ্নঃ আইসি সাবস্ট্র্যাটগুলি কীভাবে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিগুলি পরিচালনা করে (উদাহরণস্বরূপ, 100Gbps)?
উত্তরঃ কম ক্ষতির উপকরণ (ABF, Dk=3.0) এবং নিয়ন্ত্রিত প্রতিরোধের চিহ্ন (50Ω) সংকেত হ্রাসকে হ্রাস করে, যখন স্থল সমতলগুলি ইএমআই হ্রাস করে।

প্রশ্নঃ আইসি সাবস্ট্র্যাট কি ব্যয়বহুল?
উত্তরঃ হ্যাঁ, তাদের দাম ঐতিহ্যবাহী পিসিবি-র তুলনায় ৫-১০ গুণ বেশি।উচ্চ পারফরম্যান্স ডিভাইসগুলি সক্ষম করার ক্ষেত্রে তাদের ভূমিকা তাদের প্রিমিয়াম ইলেকট্রনিক্সের জন্য ব্যয়বহুল করে তোলে.

প্রশ্ন: আইসি সাবস্ট্র্যাট প্রযুক্তির ভবিষ্যৎ কী?
উত্তরঃ 3 ডি স্ট্যাকড সাবস্ট্র্যাট এবং ফোটনিক্স ইন্টিগ্রেশন (অপটিক্যাল সিগন্যালের জন্য) পরবর্তী প্রজন্মের সাবস্ট্র্যাটকে চালিত করবে, 200Gbps+ ডেটা রেট এবং 100B+ ট্রানজিস্টর সহ এআই চিপগুলিকে সমর্থন করবে।

সিদ্ধান্ত
আইসি সাবস্ট্রেট পিসিবিগুলি আইসিগুলির ক্রমবর্ধমান সংকোচনের জগত এবং বৃহত্তর পিসিবি বাস্তুতন্ত্রের মধ্যে সমালোচনামূলক লিঙ্ক, যা আধুনিক ইলেকট্রনিক্সকে সংজ্ঞায়িত করে এমন কর্মক্ষমতা এবং ক্ষুদ্রীকরণকে সক্ষম করে।৫জি স্মার্টফোন থেকে ডেটা সেন্টার জিপিইউ পর্যন্ত, এই বিশেষায়িত স্তরগুলি সর্বাধিক চাহিদাপূর্ণ সংকেত, শক্তি এবং তাপীয় প্রয়োজনীয়তাগুলি পরিচালনা করে, প্রায়শই তারা প্রাপ্য স্বীকৃতি না পেয়ে।
চিপগুলি আরও ছোট নোড, উচ্চতর I/O গণনা এবং দ্রুত গতির সাথে এগিয়ে যাওয়ার সাথে সাথে আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলি লকস্টিপে বিকশিত হবে, 3 ডি ইন্টিগ্রেশন, এমবেডেড উপাদানগুলি গ্রহণ করবে,এবং নতুন উপকরণ উদ্ভূত চাহিদা মেটাতেইঞ্জিনিয়ার এবং নির্মাতাদের জন্য, এই স্তরগুলি বোঝা আর অপশনাল নয়, এটি এমন একটি বাজারে প্রতিযোগিতামূলক থাকার জন্য অপরিহার্য যেখানে কর্মক্ষমতা এবং আকারই সব।
শেষ পর্যন্ত, আইসি সাবস্ট্র্যাট পিসিবিগুলি দৃশ্যের থেকে লুকিয়ে থাকতে পারে, কিন্তু তাদের প্রভাব প্রতিটি উচ্চ গতির, উচ্চ-কার্যকারিতা ডিভাইসে দৃশ্যমান যা আমরা প্রতিদিন নির্ভর করি।