2025-11-06
মেটা বর্ণনা: ব্যাটারি প্যাক, বিএমএস, অন-বোর্ড চার্জার, ডিসি-ডিসি কনভার্টার এবং ট্র্যাকশন ইনভার্টার সহ ইভি পাওয়ার এবং এনার্জি সিস্টেমের জন্য মূল পিসিবি ডিজাইন এবং উত্পাদন প্রয়োজনীয়তা আবিষ্কার করুন। উচ্চ-ভোল্টেজ পিসিবি ডিজাইন, তাপ ব্যবস্থাপনা, পুরু তামার বোর্ড এবং নিরোধক মান সম্পর্কে জানুন।
ইভি পাওয়ার ও এনার্জি সিস্টেমের সংক্ষিপ্ত বিবরণ
• ব্যাটারি প্যাক ও বিএমএস: ব্যাটারি প্যাক বৈদ্যুতিক শক্তি সঞ্চয় করে, যেখানে বিএমএস কর্মক্ষমতা এবং জীবনকাল সর্বাধিক করার জন্য সেল ভোল্টেজ, তাপমাত্রা এবং চার্জের অবস্থা নিরীক্ষণ করে, সেলগুলিকে ভারসাম্য বজায় রাখে।
• ডিসি-ডিসি কনভার্টার: ব্যাটারি থেকে উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার (সাধারণত 400V) কম ভোল্টেজে (12V বা 48V) নামিয়ে আনে, যা লাইট, ইনফোটেইনমেন্ট এবং সেন্সরগুলির মতোauxiliary সিস্টেমগুলিকে শক্তি সরবরাহ করে।• ট্র্যাকশন ইনভার্টার ও মোটর কন্ট্রোলার: ব্যাটারি থেকে ডিসি-কে অল্টারনেটিং কারেন্ট (এসি)-তে রূপান্তর করে যা বৈদ্যুতিক মোটরকে চালায়, যা গাড়ির ত্বরণ এবং দক্ষতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ একটি প্রক্রিয়া।
পিসিবি স্পেসিং-এর জন্য সাধারণ ডিজাইন নিয়মপাওয়ার ও এনার্জি সিস্টেমের জন্য পিসিবি ডিজাইন প্রয়োজনীয়তা
• ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর: সিলিকন কার্বাইড (SiC) এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ডিভাইস, যা উচ্চ দক্ষতা এবং ফ্রিকোয়েন্সির জন্য পরিচিত, তাদের কর্মক্ষমতা সর্বাধিক করতে কম-ইনডাক্ট্যান্স, কম-লস পিসিবি কাঠামোর প্রয়োজন।অতিরিক্ত গরম বা ভোল্টেজ হ্রাস ছাড়াই বৃহৎ কারেন্ট পরিচালনা করার ক্ষমতা মৌলিক। এর জন্য প্রয়োজন:
• প্রশস্ত ট্রেস এবং ইন্টিগ্রেটেড বাসবার: প্রসারিত ট্রেডের প্রস্থ এবং এমবেডেড কপার বাসবার প্রতিরোধ ক্ষমতা কমিয়ে দেয় এবং পাওয়ার হ্রাস করে, যা উচ্চ-কারেন্ট পথের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।2. নিরোধক এবং নিরাপত্তা মান
• ক্রিপেজ এবং ক্লিয়ারেন্স দূরত্ব: উচ্চ-ভোল্টেজ লাইনের জন্য, এই দূরত্বগুলি সাধারণত নিরোধক ভাঙ্গন এড়াতে ≥4mm–8mm হয়।• গ্লোবাল স্ট্যান্ডার্ডগুলির সাথে সম্মতি: পিসিবি-কে IEC 60664 (ক্রিপেজ/ক্লিয়ারেন্সের জন্য), UL 796 (উচ্চ-ভোল্টেজ সার্টিফিকেশন) এবং IPC-2221 (সাধারণ স্পেসিং নিয়ম) পূরণ করতে হবে, যা টেবিল 2-এ বিস্তারিতভাবে দেওয়া আছে।
অতিরিক্ত তাপ কর্মক্ষমতা হ্রাস করতে পারে এবং উপাদানগুলির জীবনকাল সংক্ষিপ্ত করতে পারে। তাপ ব্যবস্থাপনা কৌশলগুলির মধ্যে রয়েছে:• তাপীয় ভিয়াস, এমবেডেড কপার এবং মেটাল সাবস্ট্রেট: এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ-পাওয়ার উপাদান থেকে তাপ অপচয় বাড়ায়।
4. মাল্টিলেয়ার ও হাইব্রিড উপাদান
• 6–12 লেয়ার স্ট্যাক-আপ: পাওয়ার, গ্রাউন্ড এবং সিগন্যাল স্তরগুলিকে আলাদা করতে পাওয়ার মডিউলগুলিতে সাধারণ, যা হস্তক্ষেপ কমায়।
সারণী 1: ভোল্টেজ ও কারেন্ট লেভেল বনাম পিসিবি তামার পুরুত্বইভি সিস্টেম উপাদান
কারেন্ট পরিসীমাসাধারণ পিসিবি তামার পুরুত্ব
400–800V
2–4 ozঅন-বোর্ড চার্জার (ওবিসি)
10–40A2–3 oz
400V → 12/48V
2–4 ozট্র্যাকশন ইনভার্টার
300–600A4–6 oz বা মেটাল-কোর
ইভি পাওয়ার সিস্টেমের জন্য পিসিবি তৈরি করা বেশ কয়েকটি প্রযুক্তিগত বাধা জড়িত:
• উচ্চ ভোল্টেজ বিচ্ছিন্নতা: প্রয়োজনীয় ক্রিপেজ/ক্লিয়ারেন্স দূরত্বের সাথে কমপ্যাক্ট মডিউল ডিজাইন-এর ভারসাম্য বজায় রাখা কঠিন, কারণ ক্ষুদ্রাকরণ প্রায়শই নিরোধক প্রয়োজনীয়তার সাথে সাংঘর্ষিক হয়।• হাইব্রিড উপাদান ল্যামিনেশন: FR-4 এবং সিরামিক বা PTFE-এর মতো উপাদানগুলিকে একত্রিত করার জন্য ল্যামিনেশন চাপ এবং তাপমাত্রার উপর কঠোর নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন, যাতে ডেলামিনেশন এড়ানো যায়।
সারণী 2: পিসিবি নিরাপত্তা ও নিরোধক মানস্ট্যান্ডার্ড
|
ইভি পিসিবি-তে প্রয়োগ |
IEC 60664 |
ক্রিপেজ ও ক্লিয়ারেন্স ≥4–8 মিমি |
ওবিসি/ইনভার্টারে উচ্চ-ভোল্টেজ ট্র্যাক |
|
UL 796 |
উচ্চ-ভোল্টেজ পিসিবি সার্টিফিকেশন |
ব্যাটারি প্যাক, এইচভি জংশন বক্স |
• ইন্টিগ্রেশন ও ক্ষুদ্রাকরণ: একক পিসিবি মডিউলে ফাংশনগুলির ক্রমবর্ধমান সংহতকরণ সিস্টেমের জটিলতা এবং ওজন হ্রাস করে, যা গাড়ির দক্ষতা বাড়ায়। |
|
পিসিবি স্পেসিং-এর জন্য সাধারণ ডিজাইন নিয়ম |
ডিসি-ডিসি কনভার্টার, ট্র্যাকশন ইনভার্টার |
ইভি পাওয়ার পিসিবি ডিজাইনের ভবিষ্যৎ প্রবণতা |
যেহেতু ইভি প্রযুক্তি উন্নত হচ্ছে, পিসিবি ডিজাইন নতুন চাহিদা মেটাতে বিকশিত হচ্ছে: |
|
• ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর: সিলিকন কার্বাইড (SiC) এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ডিভাইস, যা উচ্চ দক্ষতা এবং ফ্রিকোয়েন্সির জন্য পরিচিত, তাদের কর্মক্ষমতা সর্বাধিক করতে কম-ইনডাক্ট্যান্স, কম-লস পিসিবি কাঠামোর প্রয়োজন। |
• এমবেডেড পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: এমবেডেড কপার বাসবার সহ পিসিবি প্রতিরোধ ক্ষমতা কমায় এবং মডিউলের আকার হ্রাস করে, যা শক্তি দক্ষতা উন্নত করে। |
• উন্নত তাপীয় সমাধান: পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর থেকে উচ্চ তাপ লোড পরিচালনা করার জন্য ইনভার্টারগুলির জন্য তরল-কুলড পিসিবি সাবস্ট্রেট গ্রহণ করা হচ্ছে। |
• ইন্টিগ্রেশন ও ক্ষুদ্রাকরণ: একক পিসিবি মডিউলে ফাংশনগুলির ক্রমবর্ধমান সংহতকরণ সিস্টেমের জটিলতা এবং ওজন হ্রাস করে, যা গাড়ির দক্ষতা বাড়ায়। |
|
সারণী 3: ইভি পাওয়ার সিস্টেমের জন্য পিসিবি উপাদানের তুলনা |
উপাদান |
টিজি (°C) |
তাপ পরিবাহিতা (W/m·K) |
অ্যাপ্লিকেশন উদাহরণ
170–1800.25
বিএমএস, ডিসি-ডিসি বোর্ডরজার্স RO4350B
0.620.0037
মেটাল-কোর পিসিবি>200
|
N/A |
ওবিসি, ইনভার্টার পাওয়ার স্টেজ |
উপসংহার |
|
ইভি পাওয়ার এবং এনার্জি সিস্টেমগুলি পিসিবি ডিজাইন এবং উত্পাদনের উপর কঠোর চাহিদা আরোপ করে, পুরু তামার স্তর এবং উচ্চ-ভোল্টেজ নিরোধক থেকে উন্নত তাপ ব্যবস্থাপনা এবং হাইব্রিড উপাদান ইন্টিগ্রেশন পর্যন্ত। নিরাপদ এবং দক্ষ শক্তি সরবরাহের মেরুদণ্ড হিসাবে, এই পিসিবিগুলি আধুনিক ইভিগুলির কর্মক্ষমতার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। বৈদ্যুতিক গতিশীলতার ক্রমবর্ধমান গ্রহণের সাথে, উচ্চ-পারফরম্যান্স, নিরাপত্তা-প্রত্যয়িত এবং তাপীয়ভাবে শক্তিশালী পিসিবি-এর প্রয়োজনীয়তা কেবল বাড়বে। যে নির্মাতারা এই প্রযুক্তিগুলিতে দক্ষতা অর্জন করবে তারা বৈদ্যুতিক গতিশীলতা বিপ্লবকে এগিয়ে নিয়ে যেতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে। |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
আপনার জিজ্ঞাসা সরাসরি আমাদের কাছে পাঠান